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一种刻蚀偏差确定方法、修正方法、装置、系统、设备及介质。所述方法包括：提供基底，包括待刻蚀层以及形成于所述待刻蚀层上的光刻图案；所述光刻图案中包括多个待测量图形；以一个接触多晶间距CPP为单位，在长度方向上，对所述待测量图形进行分段，得到所...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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