【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种刻蚀偏差确定方法、修正方法、装置、系统、设备及介质。
技术介绍
1、表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(criticaldimension，cd)。随着关键尺寸的缩小，关键尺寸的偏差对器件性能的影响也越来越大。
2、为实现将掩膜图形从掩膜版中转移到硅片表面，通常需要经过曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤、显影步骤之后的刻蚀步骤。在一些情况下，刻蚀完成后，还包括去除光刻图案的光阻去除步骤。
3、掩膜图形在显影后关键尺寸通过显影后检查(after development inspection，adi)来表征。以所述掩膜图形为掩膜刻蚀待刻蚀层，以形成刻蚀图形后，所述刻蚀图形在刻蚀后关键尺寸通过刻蚀后检测(after etch inspection，aei)cd来表征。刻蚀完成后，从刻蚀图形上去除光刻图案，以形成目标图形，所述目标图形在光刻图案去除后关键尺寸通过去除光阻后(after striping inspection，asi)cd来表征。
...【技术保护点】
1.一种刻蚀偏差确定方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于，所述基于所获取的线宽数据及空格数据，确定每段图形的刻蚀偏差值，包括：
3.如权利要求2所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于，所述基于第n段图形的特征数据及环境特征数据，以及与所述第n段图形的相邻段图形的特征数据及环境特征数据，确定所述第n段图形的刻蚀偏差值，包括：
4.如权利要求2所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于，所述第n段图形的相邻段图形为第n-1段图形及第n+1段图形。
5.如权利要求1所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀偏差确定方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于，所述基于所获取的线宽数据及空格数据，确定每段图形的刻蚀偏差值，包括：
3.如权利要求2所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于，所述基于第n段图形的特征数据及环境特征数据，以及与所述第n段图形的相邻段图形的特征数据及环境特征数据，确定所述第n段图形的刻蚀偏差值，包括：
4.如权利要求2所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于，所述第n段图形的相邻段图形为第n-1段图形及第n+1段图形。
5.如权利要求1所述的刻蚀偏差确定方法，其特征在于，所述基于所获取的线宽数据及空格数据，确定每段图形的刻蚀偏差值，包括：
6.如权利要求1所述的刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：林海笑，李甲兮，罗连波，郦其乐，程仁强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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