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本发明实施例提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，所述半导体器件的外延结构包括叠层设置的衬底、阻挡层、成核层和至少一层其他外延层：所述衬底包括Si原子，所述阻挡层包括阻挡原子，所述成核层包括Al原子，至少一层所述其他外延层...
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