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本发明提供一种半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法。此方法包含对一基材进行一第一蚀刻工艺来移除在该基材上的多晶硅层及金属层；对该基材使用一稀释的氢氟酸来移除高分子残余物；随后对该基材使用一包含盐酸、过氧化氢及水的清洁溶液；进行一含有稀释盐酸的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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