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本发明涉及一种基于大尺寸硅基复合衬底的氮化镓异质结构及制作方法，属于半导体材料与器件技术领域，解决了现有的硅基氮化镓功率器件难以向更高压和更高效率的器件上发展的问题。该异质结构包括：复合衬底；以及生长于复合衬底上的GaN外延层；所述复合衬底...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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