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本申请提供的GaN量子点掺杂渐变高Al组分的p型AlGaN材料及其制备方法，包括自下至上依次层叠设置的衬底、AlN缓冲层、AlN/AlGaN超晶格应力释放层、Al组分固定的本征AlGaN层、GaN量子点渐变Al组分p型层及p‑GaN金属接触...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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