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本公开提供了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件中的屏蔽栅和控制栅位于同一沟槽中，所有控制栅通过第一导电连接层进行连接，不需要设置单独的控制栅沟槽，减少版次，降低成本，并且与传统屏蔽栅工艺兼容，减小了工艺复杂度。控制栅位于屏蔽栅的...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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