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本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：步骤一、提供形成有非晶硅伪栅的半导体衬底，在非晶硅伪栅底部形成有第一栅介质层，在非晶硅伪栅之间的间隔区中填充有第零层层间膜。步骤二、去除非晶硅伪栅，包括：步骤21、进行第一次干法刻蚀去除部分厚度的非晶...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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