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光电转换元件制造技术
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文档序号:41322004
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本申请的课题在于提供一种因加热导致的暗电流值的上升得到抑制的光电转换元件。本发明涉及一种光电转换元件,其包括一对电极、设于所述一对电极间的含有p型半导体(P)的活性层、以及设于所述一对电极中的任一电极与所述活性层间的含有电介质(D)的缓冲层...
该专利属于住友化学株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过住友化学株式会社授权不得商用。
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