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本申请涉及一种芯片封装技术领域，尤其涉及一种适用于晶圆级封装的低损耗宽带过渡结构，包括：裸芯片和晶圆级封装。裸芯片包括：焊盘层；晶圆级封装包括：封装衬底、第一钝化层、第二钝化层、第一钝化层金属通孔、RDL层、UBM层和焊球。RDL层包括：第...
该专利属于成都天成电科科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都天成电科科技有限公司授权不得商用。

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