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提供的是半导体器件，其包括具有高驱动性能和高耐受电压并且具有厚栅极氧化物膜的金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管。在具有高耐受电压的硅的局部氧化（ＬＯＣＯＳ）偏置ＭＯＳ晶体管中，为了防止沟道形成区（７）上形成的栅极氧化物膜（６）在通过将多晶硅栅...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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