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本发明涉及一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器和抗单粒子效应反相器，一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其包括由下至上依次设置的：衬底、埋氧层、底栅、沟道层、缓冲层、铁电层、顶栅；对所述顶栅施加电压来实现存储器的“编程/擦除”和“读”操作，对...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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