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本发明涉及存储技术领域，提供一种四电极结构的阻变存储器及其制备方法，该四电极结构的阻变存储器包括底电极、介质层和顶电极，介质层设于底电极上；顶电极设于介质层上，且顶电极完全覆盖介质层；其中，顶电极包括四块不同材质的金属单元。本发明的四电极结...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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