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本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底、鳍部、伪栅结构，源漏掺杂结构，伪栅结构的侧面和源漏掺杂结构的顶面构成第一沟槽；形成保形覆盖第一沟槽的第一保护层；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层，以及在牺牲层的侧壁形成隔离层；暴...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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