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本发明提供一种新型三维存储器阵列及制备方法，其中的三维存储器阵列包括底座晶体管以及与所述底座晶体管电连接，并且呈阵列分布的存储单元；其中，所述存储单元的一端与位线连接，另一端与字线连接；并且，位于同一层内的存储单元之间通过所述字线并联，位于...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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