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本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一衬底并将衬底置于反应腔室中，形成外延结构层于衬底上，外延结构层包括缓冲层及掺杂氮化镓外延层，其中，形成掺杂氮化镓外延层时向反应腔室中通入掺杂源以进行掺杂，掺杂源的通入过程包...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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