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本发明公开了一种本发明NPN的制造方法包括：步骤一、在半导体衬底上形成NPN的集电区、基区和发射区。集电区的第一主体区位于基区的第二主体区的底部。发射区位于所述第二主体区的选定区域中。基区的第二引出区位于第二主体区的选定区域中。集电区的第一...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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