温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种本征能隙为2THz的拓扑层状结构材料及其制备方法；属于光电子学领域。本发明拓扑层状结构材料为2THz实现本征能隙跃迁的KNbO<subgt;2</subgt;材料，属于R‑3m空间群，由K<supgt;+&...
该专利属于西南科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。