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本发明公开一种用以使半导体器件的导线绝缘的方法。所述方法的一个实施方案包括在半导体衬底的单元区域上形成第一位线堆叠结构和在所述半导体衬底的周边区域上形成第二位线堆叠结构，以及形成旋涂式电介质（ＳＯＤ）层以填充在所述第一与第二位线堆叠结构之间...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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