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一种基于N外延的碳化硅器件隔离结构、高低压集成器件及制备方法，隔离结构包括N型衬底，N型漂移区，内部淀积氧化物的第一隔离沟槽和第二隔离沟槽以形成高压区域、低压区域和电平移位区域，在低压区域和电平移位区域底部设有第二P型掺杂区，在低压区域第二...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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