温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体器件。Ｎ阱的每一个与隐埋Ｐ阱接触的区域的宽度不大于２μｍ。地电压和电源电压被分别施加给Ｐ阱和Ｎ阱。去耦电容器被形成在Ｎ阱与隐埋Ｐ阱之间。...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。