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在半导体处理腔室中产生等离子体的方法，包括：施加射频(RF)功率以在该处理腔室的等离子体区域中产生等离子体，该处理腔室包括：喷头、离子阻隔板和基板，且该等离子体区域由该喷头的前表面和该离子阻隔板的背表面界定；及对该离子阻隔板施加偏压，使得该...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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