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本发明公开了一种具有SiC/Si异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件，包括自下而上依次层叠设置的P型衬底、N型漂移区和顶部半导体层，顶部半导体层沿器件横向方向依次包括发射极结构、沟槽栅极和集电极结构，沟槽栅极从N型漂移区的上表面伸入N型漂移区...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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