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本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：隔离盆，具有第一导电类型；注入辅助结构，为多个被填充物所填充的沟槽；第一阱区，具有第一导电类型，从所述注入辅助结构的底部继续向下延伸，位于所述隔离盆下方；第二阱区，具有第一导电类型，...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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