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本发明提供了一种具有空穴扩展层的半导体发光元件，包括由下至上设置的衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，在所述量子阱和p型半导体之间设置有空穴扩展层，空穴扩展层晶格常数分布具有函数y＝a<supgt;x</supgt;+a<...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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