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本发明提供了一种具有p型三维空穴注入层的半导体元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱和p型三维空穴注入层，所述p型三维空穴注入层的In元素分布具有函数y＝e<supgt;x</supgt;/x<supgt...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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