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半导体设备和形成半导体设备的方法技术
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文档序号:41281200
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本公开涉及半导体设备和形成半导体设备的方法。公开了一种竖直腔面发射激光器(VCSEL)设备,该设备包括具有波导的VCSEL发射极,该波导具有引导部分和反引导部分。引导部分和反引导部分可以选择和限制VCSEL发射极的模式。反引导部分还可以用于...
该专利属于贰陆特拉华股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过贰陆特拉华股份有限公司授权不得商用。
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