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一种方法提供了具有第一晶体表面取向的半导体结构以及在该半导体衬底上的具有该第一晶体表面取向的第一纳米片堆叠。该半导体衬底结构包括在该第一纳米片堆叠上方的具有第二晶体表面取向的第二纳米片堆叠，其中该第一纳米片堆叠和该第二纳米片堆叠被介电材料分...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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