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本发明提供了一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述n型半导体层中设置有至少一个空穴阻挡层。本发明提供的一种具有空穴阻挡层的氮化物半导体元件，通过在n型半导体层中设置至少一个...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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