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本发明涉及一种纳米片环栅晶体管及其制备方法。一种纳米片环栅晶体管，其包括：表面具有浅沟槽隔离结构的衬底；设置于衬底上方的纳米片堆栈部，其中，纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，纳米片形成的叠层构成多个导电沟道，纳米片为石墨烯纳米片；环绕式...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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