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本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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