专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
哈尔滨工业大学
>
一种基于亲电子物质注入的等离子体鞘套电子密度调控系统及其方法技术方案
>技术资料下载
下载一种基于亲电子物质注入的等离子体鞘套电子密度调控系统及其方法的技术资料
文档序号:41269081
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种基于亲电子物质注入的等离子体鞘套电子密度调控系统及其方法,涉及低温等离子体技术领域。缓解现有高速飞行器在临近空间段飞行过程中由于等离子体鞘套高电子密度引发的通信信号衰减,即通信“黑障”问题。所述调控系统包括三通道级联电弧等离子体源、进气...
该专利属于哈尔滨工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。