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本发明公开了含周期掺杂氮化铝镓阶梯缓冲层的硅基薄膜及其制备方法。本发明采用周期掺杂的AlGaN阶梯结构作为缓冲层，实现具有低空闲陷阱密度的半绝缘态AlGaN缓冲层，降低缓冲层的泄漏电流，提高半导体材料耐压性能，解决HEMT器件实际工作中由于...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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