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本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于第一有源结构和第二有源结构之间；形成间...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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