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本发明涉及一种液相法低温生长3C‑碳化硅单晶的方法，属于晶体生长技术领域。用于低温生长3C‑碳化硅单晶的合金助溶剂为Mn‑Ni合金、Mn‑Sn合金、Mn‑Nd合金、Mn‑Al合金、Mn‑Cr合金中的一种。本发明提供了可用于生长3C‑碳化硅单...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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