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本发明提供一种降低嵌入式闪存控制栅电阻的方法，提供衬底，衬底上形成叠层，叠层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层和硬掩膜层组成，在叠层上形成有存储单元区域、耦合带区域和外围电路区域；形成覆盖第一至三凹槽的...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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