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本发明公开了一种二维单晶GaS<subgt;x</subgt;Se<subgt;1‑x</subgt;纳米片的制备方法及在制备近紫外光电探测器中的应用，本发明利用VASP模拟软件及合金工程调控二维单晶GaS<s...
该专利属于郑州轻工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过郑州轻工业大学授权不得商用。

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