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本发明通过Monolithic单芯片技术路线以及MCM多芯片技术路线都可以形成一种有效的基于空气沟道的缓冲结构，从而降低封装填充材料带来的压力变化影响，其中Monolithic单芯片技术路线采用传统半导体工艺技术，在电压基准芯片/单元结构的...
该专利属于深圳未来时帧半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳未来时帧半导体有限公司授权不得商用。

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