一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法技术

本发明专利技术通过Monolithic单芯片技术路线以及MCM多芯片技术路线都可以形成一种有效的基于空气沟道的缓冲结构，从而降低封装填充材料带来的压力变化影响，其中Monolithic单芯片技术路线采用传统半导体工艺技术，在电压基准芯片/单元结构的衬底芯片上制造出全包围的空气沟道缓冲结构，而MCM多芯片技术路线则在硅基substrate基板上采用半导体工艺技术形成空气沟道缓冲结构和基板上互联需要的金属，把电压基准的小芯片采用先进封装/键合的技术与其他功能芯片实现多芯片模块。本发明专利技术通过两种技术方式都可以形成一种有效的基于空气沟道的缓冲结构，从而降低封装填充材料带来的压力变化影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片缓冲，具体的涉及一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法。

技术介绍

1、制造高稳定性的电压基准是电池管理系统等一系列工业级应用的性能关键之一。如何保持电压基准在长使用周期(例如，超过10年的时间)内保持极低的漂移是目前行业痛点。因为随着时间流逝芯片后道封装中的高分子材料中的水汽会发生改变，进而改变封装中的高分子材料对于电压基准芯片的压力，这种压力造成半导体材料应力变化，进而引起半导体材料禁带宽度等物理性质变化，最终表现为引起电压基准的漂移。由于后道封装材料和生产的多重变化因素，以及应力本身对于芯片的影响的复杂性，这种基准漂移没有办法预测，也无法预设校准函数以补偿在长使用周期中的电压基准的电压漂移。

技术实现思路

1、本专利技术为了解决上述问题设计了一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，通过在对于压力变化敏感的电压基准芯片/单元结构增加空气沟道的结构，形成一种有效的缓冲结构，从而在长使用周期内大幅减少由于后道的封装材料对于芯片的半导体材料部分的压力变化，从而有效降低对于电压基准的电压的漂移。...

【技术保护点】

1.一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：所述步骤S1形成的典型衬底结构中设置有氧化硅隔层，所述的氧化硅隔层位于N型埋层的正下方。

3.根据权利要求1所述的一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：所述步骤S3中DTI的图形采用合适的去角的图形，通过去角的图形来减小应力，并在合适位置保留两个悬臂梁结构。

4.根据权利要求1所述的一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：所述步骤S9中的湿法具体为稀释后的HF腐蚀，稀释后的HF沿着墙之...

【技术特征摘要】

1.一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：所述步骤s1形成的典型衬底结构中设置有氧化硅隔层，所述的氧化硅隔层位于n型埋层的正下方。

3.根据权利要求1所述的一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：所述步骤s3中dti的图形采用合适的去角的图形，通过去角的图形来减小应力，并在合适位置保留两个悬臂梁结构。

4.根据权利要求1所述的一种制造高稳定性的电压基准芯片的方法，其特征在于：所述步骤s9中的湿法具体为稀释后的hf腐蚀，稀释后的hf沿着墙之间的缝隙把dti中的氧化硅填充物和原来soi衬底中的氧化硅隔层腐蚀掉，形成空气沟道包围结构。

5.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝文闻，刘慧博，宁涛华，
申请(专利权)人：深圳未来时帧半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：