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本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，尤其是涉及一种双钉扎层STT‑MRAM存储单元及其制备方法、磁性随机存储器和电子设备，包括自下而上依次设置在第一钉扎层、第一参考层、势垒层、自由层、间隔层、第二参考层和第二钉扎层；所述第一钉扎层和所述第...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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