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本发明公开了一种半导体芯片的制作方法，是在形成有源极和漏极的外延结构上按序形成第一介质层和第二介质层，蚀刻第一器件区的源极和漏极之间的介质层叠层形成开口，于开口内形成栅极，再形成第三介质层作为栅极保护层，同时第二介质层和第三介质层于第一器件...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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