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本发明提出了一种具有二维空穴气注入层的半导体元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层，所述电子阻挡层与p型半导体层之间设置有二维空穴气注入层，所述二维空穴气注入层具有电子迁移率分布、菲利普电离度分布...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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