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本发明提出了一种平面栅极功率器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，并在衬底的上侧制作外延层；在外延层上制作形成JFET区；在外延层的上侧生长栅氧化层，并在栅氧化层的上侧沉积多晶硅；对多晶硅注入第一导电类型的元素，并进行推阱操作，然后经刻蚀工...
该专利属于南京华瑞微集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京华瑞微集成电路有限公司授权不得商用。

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