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本发明公开Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法。本发明采用气相沉积法，通过改变生长基底、调节基底放置方式、生长时间、生长温度等可以实现对Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的大面积可控制备。本发明使用二硫化钼纳米片、二硒化钨纳米片...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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