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本发明公开了一种GaN基蓝绿光LED外延结构，涉及半导体光电器件领域。其中，GaN基蓝绿光LED外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、位错调控层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述位错调控...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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