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本发明实施例提供一种高电子迁移率晶体管器件及其制造方法。该器件具有一个结构单元或至少两个沿第一方向重复设置的结构单元；每个结构单元均包括源极、漏极、栅极以及沿第二方向依次层叠的衬底层、成核层、势垒层和具有垂直第一方向且平行第二方向之平分截面...
该专利属于中兴通讯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中兴通讯股份有限公司授权不得商用。

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