【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体管器件，尤其涉及一种高迁移率晶体管器件及其制造方法。
技术介绍
1、氮化镓(英文全称为：gallium nitride，简写为：gan)由于具有禁带宽度大、临界击穿电场高、抗辐射能力强等特点而成为极具潜力的半导体材料。基于gan的高电子迁移率晶体管(英文全称为：high electron mobility transistor；简写为：hemt)，不仅继承了gan的优异特性，而且由于gan基异质结产生的二维电子气(英文全称为：two dimensionalelectron gas；简写为：2deg)，使得其具有高电子迁移率和高电子饱和速度的特点，可以应用于工作频率更高、模块体积更小、能量密度更大的场景，如开关电源、射频通信、快速充电等高频高压领域。尤其是第五代无线移动通讯(5g)的发展，传统的硅基器件已经无法适应更高频率和更大功率的工作环境，而具有优异特性的gan基hemt器件则正逐渐成为5g射频功放的核心器件。
2、在5g射频功放应用中，线性度一直是功率放大器(以下简称：功放)设计重点关注的指标之一。为了...
【技术保护点】
1.一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，具有一个结构单元或者至少两个沿第一方向重复设置的所述结构单元；
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，每个所述结构单元中，所述叠层的层数为二层至十层的任意层数。
3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，每个所述结构单元的所述缓冲层包括沿所述第二方向依次层叠的第一叠层、第二叠层和第三叠层。
4.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第一叠层具有分设于所述平分截面的两个第一外露表面，所述第二叠层具有分设于所述平分截面的两个第二外露...
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，具有一个结构单元或者至少两个沿第一方向重复设置的所述结构单元；
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，每个所述结构单元中，所述叠层的层数为二层至十层的任意层数。
3.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，每个所述结构单元的所述缓冲层包括沿所述第二方向依次层叠的第一叠层、第二叠层和第三叠层。
4.根据权利要求3所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，所述第一叠层具有分设于所述平分截面的两个第一外露表面，所述第二叠层具有分设于所述平分截面的两个第二外露表面，所述第三叠层具有相对于所述平分截面对称的一个第三外露表面；每个所述第一外露表面在所述第一方向的长度尺寸为a，每个所述第二外露表面在所述第一方向的长度尺寸为b，所述第三外露表面在所述第一方向的长度尺寸为2c，且a：b：c＝9～13:3.5～5:1。
5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，每个所述结构单元还包括至少一层背势垒层和至少一层沟道层，每层所述背势垒层叠...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶然，蔡小龙，杜成林，张煜，刘海军，段向阳，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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