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本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制备方法，该屏蔽栅沟槽型MOS器件包括：半导体层、沟槽栅结构、体区、源区、层间介质层及源极，其中沟槽栅结构包括沟槽、第一介电层、第一屏蔽栅层、隔离层、栅介质层、栅导电层、第二介电层及第二屏蔽栅层，栅导...
该专利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑶芯微电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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