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本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器的外延结构，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期性的具有富In团簇的量子阱结构。本发明能够抑制激光器的有源层生长过程的二维岛状或三维...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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