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本发明属于半导体器件技术领域，涉及多孔氮化镓单晶电极材料及制备方法与应用。本发明通过将重Si掺杂的氮化镓单晶进行切割、清洗和刻蚀，得到表面均匀分布六方多孔的氮化镓单晶电极材料。所得材料保留了氮化镓单晶的本征稳定性，有利于多孔氮化镓单晶广泛应...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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